Le Galaxy S7 sera étanche, aura un lecteur Micro SD, et une plus grande autonomie

galaxys7
Facebook
Twitter
LinkedIn
Reddit
WhatsApp
Email

Le généralement bien informé chroniqueur Evan Blass a rédigé un article vendredi dernier sur le blogue VentureBeat dans lequel il révèle de nouvelles informations concernant les prochains téléphones phares de Samsung, incluant quelques photos.

D’abord, visuellement, ces appareils partagent le design établi l’an dernier. Le fabricant sud-coréen semble vouloir privilégier l’évolution des composantes internes de ses téléphones plutôt que d’adopter une approche plus esthétique.

Les Galaxy S7 marqueront le retour du lecteur de carte Micro SD, d’une capacité maximale de 200 Go.

Selon des informations recueillies auprès d’une source familière avec le dossier, les Galaxy S7 et S7 Edge marqueront le retour du lecteur de carte Micro SD, d’une capacité maximale de 200 Go. Il est également question pour ces deux téléphones de respecter la norme IP67, signifiant que ces appareils seront totalement protégés contre la poussière et pourront survivre à une submersion d’un mètre de profondeur.

En ce qui concerne les écrans Super AMOLED, le moins dispendieux combiné conservera la taille de 5,1 pouces, tandis que le téléphone haut de gamme intégrera un écran incurvé de 5,5 pouces de diagonale. Dans les deux cas, tout indique que la définition sera de 1 440 × 2 560 pixels, avec en prime une fonction permettant à l’écran de rester allumé en permanence (qui ne consommerait qu’un pourcentage de batterie à l’heure).

S’il n’est évidemment pas question de piles interchangeables (étanchéité oblige), celles-ci gagneront heureusement en capacité  3 000 mAh pour le Galaxy S7 et 3 600 mAh pour le S7 Edge. Le temps de recharge de ces batteries sera respectivement de 2h et 2h20.

Du côté de son processeur, les nouveaux téléphones seront propulsés par le système sur puce Exynos 8890 composé de 4 cœurs de 2,3 GHz et 4 cœurs de 1,6 GHz. Celui-ci intègre également un modem ayant une présumée compatibilité avec les signaux LTE de catégorie 9. Blass n’écarte toutefois pas la possibilité de voir un retour de l’implication de Qualcomm avec un Snapdragon 820 pour le marché nord-américain. Chose certaine, en ce qui concerne la mémoire vive, nous pouvons nous attendre à 4 Go, tandis que les capacités de stockage proposées seront de 32 et 64 Go.

Enfin, cette source suggère que la caméra intégrant ces téléphones aurait un capteur de 12 mégapixels – alors que les Galaxy S6 et S6 Edge proposent actuellement 16 mégapixels. Bien entendu, un nombre de mégapixels élevé n’est pas systématiquement un gage de qualité. Qui plus est, le nouvel objectif aurait une ouverture de ƒ/1,7, alors que son prédécesseur est fixé à ƒ/1,9, et le capteur est décrit comme étant plus performant lors de la capture d’images dans des environnements mal éclairés.

Bien entendu, comme chaque fois qu’il est question de rumeurs à propos d’Apple ou de Samsung, il est toujours préférable de prendre le tout avec un grain de sel. Toutefois, la feuille de route d’Evan Blass en ce qui concerne ce genre de fuites demeure impressionnante.

Dernier articles

Abonnez-vous à nos réseaux sociaux